솔루션

모바일 장치용 메모리 이니셔티브

소형 패키지에 숨겨진 다양하고 강력한 기능

SiP(System-in-Package) 기술은 미디어 프로세서, DRAM 및 플래시 메모리 장치 등 다수의 통합 회로를 쌓아 올려 단일 패키지 또는 모듈 안에 모두 배치합니다. 이 기술을 이용하면 초소형 기기에 다양한 기능을 탑재할 수 있으므로 휴대폰 제조에 있어 매우 유용합니다. 그러나 이처럼 다양한 혜택을 제공하는 SiP 기술에는 SiP 조립 전에 메모리 장치가 KGD(Known Good Die)의 요건을 갖추었는지 여부를 확인하기가 어렵다는 문제가 있습니다. 이렇게 되면 양질의 제품을 생산할 수 없게 되며 비용도 증가합니다. 그러나 이러한 KGD 문제는 SiPFLOW™과 같은 라이센싱이 가능한 Rambus의 혁신 기술을 통해 해결될 수 있습니다. 이 기술은 1백만 개의 장치(DPPM)당 생산되는 불량 부품의 개수를 100개 미만으로 낮춥니다. 이 기술을 통해 휴대폰 설계자는 보다 향상된 성능의 휴대폰을 소비자가 원하는 가격으로 제공할 수 있습니다.

다양한 미디어를 제공하는 최신 세대의 모바일 제품

소비자들은 기존의 TV에서만 가능했던 HD 화질을 앞으로는 모바일 기기에서도 이용할 수 있게 되기를 기대할 것입니다. 또한 HD 비디오 레코더, 멀티 메가픽셀 디지털 카메라, 3D 게임, 다양한 미디어가 포함된 웹 응용 프로그램 등 여러 기능을 갖춘 모바일 장치에 대한 수요도 증가하게 될 것입니다. 이러한 첨단 모바일 장치에서는 고화질 콘텐츠를 인코딩하여 HDTV, 가정용 PC 및 서버에 직접 전달할 수도 있습니다. 이 모든 기능을 얇고 가벼우면서도 디자인이 뛰어난 폼 팩터에 구현하는 일은 모바일 장치 설계자가 풀어야 할 쉽지 않은 과제입니다. 이 중 최우선 과제는 배터리로 작동되는 제품의 전력 효율 제약을 벗어나지 않는 고성능의 메모리 아키텍처를 개발하는 것입니다.

Rambus 모바일 장치용 메모리 이니셔티브는 미래형 스마트폰, 넷북 및 모바일 게임 및 멀티 미디어 제품에서 요구되는 고대역폭, 저전력 메모리 신호 전달 기술을 선도하고 있습니다. 모바일 메모리 이니셔티브를 통해 개발된 기술은 미래의 모바일 메모리 아키텍처에 적용되어 동급 최고의 전력 효율로 초당 4.3기가바이트의 데이터 전송 속도를 제공하는 모바일 메모리 아키텍처를 실현할 것입니다. 이렇게 되면 설계자가 단일 모바일 DRAM 장치에서 초당 17기가바이트의 메모리 대역폭을 구현할 수 있게 됩니다.

성능과 전력 효율을 높이는 파격적인 혁신 기술

Rambus는 고대역폭, 저전력 메모리 인터페이스 솔루션을 위해 다음과 같은 파격적인 혁신 기술을 개발했습니다.

VLSD(Very Low-Swing Differential Signaling) - 차등 아키텍처의 강력한 신호 전달 품질과 혁신적인 회로 기술을 조합하여 활성 소비 전력을 큰 폭으로 낮추는 기술입니다.

FlexClocking™ 아키텍처 - 클록 전달 및 배포 기술로 고속 작동을 가능하게 하고 DRAM 인터페이스를 간소화합니다.

APSM(Advanced Power State Management) - FlexClocking 아키텍처와 함께 사용되는 기술로 절전 모드 전환에 소요되는 시간을 단축하고 다양한 사용 프로필에 대해 최적화된 전력 효율을 제공합니다.

모바일 장치용 메모리 이니셔티브를 통해 Rambus가 개발한 여러 혁신 기술은 향상된 성능, 고대역 및 탁월한 전력 효율을 제공하는 미래의 모바일 메모리 아키텍처의 기반이 될 것입니다.

Rambus의 VLSD(Very Low-Swing Differential Signaling)는 Rambus의 저전력 이니셔티브를 통해 개발된 차등 아키텍처의 우수한 신호 전달 품질과 혁신적인 회로 기술을 조합한 혁신 기술로 전력 소비를 최소화합니다. VLSD는 접지 기준 전압 모드 드라이버를 사용하여 200mV의 최대 차등 전압과 100mV의 공통 전압으로 최고 4.3Gbps의 데이터 전송 속도를 실현합니다.

Rambus의 모바일 장치용 메모리 이니셔티브를 통해 FlexClocking 아키텍처도 출시됩니다. FlexClocking 아키텍처는 클록이 중앙 PLL로부터 컨트롤러와 DRAM 장치로 전달 및 배포되는 토폴로지입니다. FlexClocking 아키텍처는 Rambus FlexPhase™ 기술을 통해 클록과 DQ 신호 사이의 변동성을 조절하여 DRAM 장치에 DLL 또는 PLL을 배치할 필요 없이 고속 작동을 가능하게 합니다. 따라서 DRAM 설계가 간편해지며 전력 소비량도 낮아집니다.

모바일 DRAM의 성능을 높이고 설계를 간소화하는 FlexClocking™ 아키텍처

모바일 메모리 이니셔티브의 세 번째 주요 혁신 기술은 FlexClocking 아키텍처와 혁신적인 회로 설계 기술을 바탕으로 하는 APSM(Advanced Power State Management)입니다. APSM(Advanced Power State Management)은 메모리 시스템이 소비하는 전력을 낮추고 작동 모드에서의 전력 효율을 최적화하며 다양한 저전력 모드 및 활성 작동 모드 간 전환에 소요되는 시간을 크게 단축합니다.

Rambus의 VLSD, FlexClocking 아키텍처, APSM 및 모바일 메모리 이니셔티브를 통해 개발될 여러 혁신 기술은 동급 최강의 전력 효율로 4.3Gbps의 데이터 전송 속도를 가능케 할 다양한 기술의 기반이 될 것입니다. 이러한 수준의 성능이 달성되면 단일 모바일 DRAM 장치에서 17GB/s 이상의 메모리 대역폭을 실현할 수 있게 됩니다. Rambus는 모바일 메모리 이니셔티브와 이러한 이니셔티브를 수반하는 아키텍처 솔루션을 통해 최신 세대의 스마트폰, 모바일 게임 및 모바일 멀티미디어 제품을 위한 메모리 솔루션이 개발될 수 있도록 함으로써 결과적으로 전 세계 소비자의 생활 환경을 풍요롭게 할 것입니다.

현재의 모바일 장치용 메모리에 적용된 Rambus의 혁신 기술

현재 시장에 출시된 스마트폰은 전자 메일, 웹 검색, 게임, 음악 및 영화 등 다양한 기능을 제공합니다. 스마트폰에서 이러한 기능을 사용하려면 우수한 성능을 제공하고 배터리로 작동되는 모바일 장치의 저전력 환경에 맞춰 개발된 혁신 기술이 필요합니다. LPDDR 메모리와 같은 모바일 메모리 솔루션도 마찬가지입니다. 이미 컴퓨터와 그래픽 응용 프로그램을 통해 기술력이 입증된 여러 기술을 포함하여 Rambus의 수많은 특허 기술은 현재의 모바일 응용 프로그램에 필수적인 저전력 솔루션 개발의 기본이 되고 있으며 라이센싱이 가능합니다.