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Press Release엘피다, 램버스의 XDR 메모리 아키텍처에 기반한 세계최고속 DRAM 공개4.8GHz XDR DRAM, 업계표준 DDR2 DRAM보다 6배 성능 Los Altos, California, United States and Tokyo, Japan - 10/04/2007 DRAM을 전세계에 공급하는 일본의 엘피다 메모리(Elpida Memory, Inc., 도쿄증권거래소 코드번호: 6665)와 고속 칩 아키텍처를 전문으로 하는 세계적인 고급기술 라이센스 기업 램버스(Rambus Inc., 나스닥: RMBS) 양사는 램버스의 XDR 메모리 아키텍처에 기반한 업계 최고속 DRAM 제품인 512 메가비트(Mb) 4.8 기가헤르츠(GHz) XDR™ DRAM 제품을 5일(현지시간) 공개했다. 이번 XDR DRAM 신제품은 단일 장치 데이터 전송률이 초당 9.6 기가바이트로 업계 최고 수준으로, HDTV나 게임기, PC, 서버, 워크스테이션과 같은 고성능 고볼륨 어플리케이션에 아주 적합하다. 엘피다 메모리의 디지털 컨슈머 사업부 담당 키노시타 요시타카(Yoshitaka Kinoshita) 집행이사는 “고화질 영상 데이터의 보급이 확대됨에 따라 차세대 제품에서는 높은 메모리 대역폭의 필요성이 급속도로 커진 상태다.”라며 “램버스와 협력하여 XDR DRAM 제품을 마련함으로써 최고의 비용효율을 지닌 고대역폭 메모리 솔루션을 고객들에게 제공하기로 했다.”고 밝혔다. 엘피다의 512Mb 4.8GHz XDR DRAM (상품번호: EDX5116ADSE-5E-E)은 8뱅크 구성이며(x16/x8/x4 프로그램 가능), 데이터 전송률이 초당 9.6GB로 업계 표준인 DDR2-800 메모리 장치의 최고 대역폭보다 6배 높다. 이번 4.8GHz XDR 장치는 엘피다의 70nm 공정기술을 이용하여 제조되었으며, 104볼 FBGA 패키지를 채용하고 있다. 또한 속도와 안정성이라는 데이터 전송의 요건 두 가지를 모두 만족시키기 위해 XDR DRAM은 진폭과 노이즈를 최소화하는 ‘DRSL’ (Differential Rambus Signaling Level, 차동(差動) 램버스 신호레벨)이나 매 클럭 사이클당 8비트의 데이터를 전송함으로써 단 600MHz의 클럭으로도 4.8GHz를 구현해내는 ‘ODR’ (Octal Data Rate, 옥털 데이터율), 클럭 위상에 맞추어 칩 상의 데이터를 정밀하게 조절하는 ‘플렉스페이즈(FlexPhase™)’ 회로기술과 같은 램버스의 특허 혁신안에 기반한 핵심 기술을 이용하고 있다. 이번 512Mb XDR DRAM 장치는 임피던스 자동정합 기능, 역동적인 요구 스케줄링(request scheduling) 기능, 오버헤드 없는 리프레시 기능 등도 갖추고 있다. 램버스의 전세계 영업과 라이센싱, 마케팅을 담당하고 있는 셰런 홀트(Sharon Holt) 상급부사장은 “엘피다의 4.8GHz XDR DRAM은 3D 그래픽이나 고화질 영상처리 기능, 고급 멀티미디어 등을 구현하기 위해 고대역폭을 요구하는 소비자가전 제품에 아주 적합하다.”며 “엘피다는 XDR DRAM 공급사로 입지를 굳힌 기업으로, 당사는 엘피다의 4.8GHz XDR 로드맵 전진을 도와 세계최고속 DRAM을 구현해낸 것을 자랑스럽게 생각한다.”고 말했다. XDR 메모리 아키텍처의 중추를 담당하는 XDR DRAM은 XDR 메모리 컨트롤러(XMC), XDR IO 컨트롤러 인터페이스 셀(XIO), XDR 클럭 제네레이터(XCG)와 끊김없이 연동함으로써 전례 없는 수준의 메모리 성능을 구현함과 동시에 이용 IC 개수는 최소한으로 줄였다. 16배속 모드에서 작동하는 XDR DRAM 1개의 데이터 전송률은 초당 9.6GB다. 비교 대상인 DDR2-800의 경우 16배속에서 6개가 있어야만 동일한 전송률을 달성할 수 있다. 고볼륨 어플리케이션에서 그 성능이 입증된 램버스 XDR 메모리 솔루션은 칩 설계로부터 시스템 통합에 이르는 종합 엔지니어링 지원 서비스를 함께 제공한다. XDR DRAM은 현재의 표준 메모리보다 성능이 훨씬 뛰어나다. XDR 메모리 아키텍처에 대한 정보나 마이크로 스레딩(micro-threading)을 적용한 차세대 XDR2 DRAM에 대한 자세한 정보가 필요하면 홈페이지(www.rambus.com/xdr)를 방문하기 바란다. 출시정보엘피다의 512Mb 4.8GHz XDR DRAM 장치(제품번호 EDX5116ADSE-5E-E)의 샘플제품이 2007년 12월 출하될 예정이며, 양산체제 돌입은 2008년 4월로 예상되고 있다. 요청시 데이터시트 제공이 가능하다.
Rambus Inc. 소개Rambus는 고속 칩 인터페이스의 개발과 설계를 전문으로 하는 세계 최고의 기술 라이센싱 기업 중 하나입니다. 1990년 회사가 설립된 이후 특허를 받은 당사의 혁신 기술, 핵심 기술, 그리고 명성이 있는 통합 전문기술을 통해 업계 선두의 칩 생산 및 시스템 기업들은 우수한 제품을 시장에 출시할 수 있었습니다. Rambus의 기술 및 제품은 고객이 직면하는 가장 복잡한 칩 및 시스템 레벨 인터페이스 문제를 해결하여 컴퓨팅, 통신 및 가전 제품에서 전례없는 성능을 구현할 수 있게 했습니다. Rambus는 특허를 가진 광범위한 포트폴리오의 혁신 기술, 그리고 업계를 선도하는 표준 칩 인터페이스 제품에 대한 라이센스를 제공합니다. Rambus 본사는 캘리포니아 Los Altos에 소재하고 있으며 북캐롤라이나, 인도, 독일, 일본 및 대만에 지역 사무소가 있습니다. 추가 정보는 www.rambus.com을 방문하십시오.엘피다 메모리에 대하여엘피다 메모리 주식회사(Elpida Memory, Inc., 도쿄증권거래소 코드번호: 6665)는 DRAM(Dynamic Random Access Memory) 실리콘칩을 생산하는 기업이다. 세계급 기술 전문지식에 기반하여 설계와 제조, 영업을 전개중인 엘피다는 업계 최고의 제조기술을 채용하여 히로시마 엘피다 메모리 주식회사(Hiroshima Elpida Memory, Inc., 전공정)와 아키타 엘피다 메모리 주식회사(Akita Elpida Memory, Inc., 후공정)의 제조공장 2곳을 운영 중이다. 이 밖에도 엘피다는 일본과 북미, 유럽, 대만, 홍콩, 싱가포르에 고객 영업마케팅 지원사무소를 두고 있다. 엘피다의 첨단 제품은 고집적도, 고속, 저전력, 소형 패키지가 특징이며, 하이엔드(고급) 서버와 휴대전화, 디지털 소비자가전 등의 다양한 분야 어플리케이션이 마련되어 있다. 엘피다에 대한 자세한 정보가 필요하면 홈페이지(http://www.elpida.com)를 방문하기 바란다. 램버스에 대하여세계 유수의 고급기술 라이센싱 기업인 램버스는 고속 칩 아키텍처의 개발과 설계를 전문으로 하고 있다. 램버스는 1990년 창사 이래 특허 혁신안과 첨단기술, 뛰어난 통합 전문지식을 통해 업계 유수의 칩•시스템 기업이 제품 수준을 높이는 데 기여해왔다. 고객사가 해결점을 찾기 곤란한 칩이나 시스템 단계 인터페이스의 난제를 해결하는 램버스의 기술과 제품은 전산, 통신, 소비자가전 분야 제품에서 최고의 성능을 구현한다. 램버스는 자사가 보유한 세계 수준의 각종 특허와 함께 업계를 선도하며 업계 표준으로 인정받고 있는 자사의 인터페이스 제품에 대한 라이센스를 발급하고 있다. 램버스 본사는 미 캘리포니아 주 로스앨토스에 위치하고 있으며, 미 노스캐롤라이나 주와 인도, 독일, 일본, 한국, 대만에 현지 지사가 있다. 자세한 정보가 필요하면 홈페이지(www.rambus.com)를 방문하기 바란다. Rambus와 Rambus 로고는 Rambus Inc.의 등록상표다. XDR과 FlexPhase는 Rambus Inc.의 상표다. 이 밖의 모든 상표는 해당 소유자의 서비스마크, 상표 또는 등록상표다. [본 보도자료는 해당 기업에서 원하는 언어로 작성한 원문을 한국어로 번역한 것이다. 그러므로 번역문의 정확한 사실 확인을 위해서는 원문 대조 절차를 거쳐야 한다. 처음 작성된 원문만이 공식적인 효력을 갖는 발표로 인정되며 모든 법적 책임은 원문에 한해 유효하다.]
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