モバイルメモリイニシアチブ

高性能を小さなパッケージで実現

システム・イン・パッケージ (SiP) 技術でメディアプロセッサ、DRAM、フラッシュメモリデバイスなど一連の統合回路をひとつのパッケージまたはモジュールに積み重ねます。SiP によって設計者は、携帯電話に最適なコンパクトスペースで高機能性を実現できます。SiP は優れたバンド幅を提供する反面、SiP をアセンブリする前にメモリデバイスが良品 (KGD: known good die) であるかどうかを判断するのが困難であるという大きな課題があります。これによって製造収率が落ち、コストが増大する恐れがあります。ラムバス社のイノベーション (ライセンス供与可能) のおかげで、SiPFLOW™ などの技術が KGD の課題を解決でき、100万個当たりの欠陥部品数 (DPPM) が 100 以下のアセンブリ収率を達成できます。これは、消費者が希望する価格でより多くの性能を設計者が携帯電話に搭載できることを意味しています。

メディアを駆使した新世代型携帯製品の実現

消費者はいずれ、毎日携帯している携帯デバイスでリビングルームと同じ高解像度 (HD) エクスペリエンスを期待するようになるでしょう。また、HD解像度ビデオレコーダーやマルチメガピクセルデジタルカメラ、3D ゲーム、そしてメディアを駆使したウェブアプリケーションといった機能も期待することでしょう。こうした高度携帯デバイスは、高解像度コンテンツをエンコード化し、HDTVや家庭用PC、サーバに直接転送する機能を備えることになるでしょう。携帯デバイス設計者にとって、軽量薄型で見た目のよいフォームファクタへこうしたすべての機能を搭載させることはとても困難なことです。こうした課題で最も重要なのは、電池式製品の電力効率制限を満たす高性能メモリアーキテクチャの開発になります。

ラムバス社のモバイルメモリイニシアチブでは、未来のスマートフォンやネットブック、携帯ゲーム機、そしてマルチメディア製品のニーズを満たすことのできる高バンド幅・低電力メモリ信号技術を開拓しています。モバイルメモリイニシアチブを通じて開発された技術によって、将来のモバイルメモリアーキテクチャは、最高クラスの電力効率でデータレート 4.3 ギガピット/秒 (Gbps) を実現できることになるでしょう。設計者はこの性能を使用し、単一の携帯 DRAM デバイスから 17 ギガバイト/秒 (GB/秒) 以上のメモリバンド幅を実現することができます。

画期的なイノベーションで性能と電力効率を達成

高バンド幅・低電力メモリインターフェイスソリューションを実現するために、ラムバス社は次のような画期的なイノベーションを開発しました。

• 極小振幅差動信号 (VLSD) - 差動アーキテクチャの強固な信号クオリティと画期的な回路技術を組み合わせて有効電力消費を大幅に軽減します。


• FlexClocking™アーキテクチャ - クロック転送およびクロック分配トポロジで、高速オペレーションと DRAM インターフェイスの簡易化を実現します。


• 高度パワーステートマネジメント (APSM) - フレックスクロッキングアーキテクチャと連動して、電力セーブモード間の切り替え時間を短縮し、さまざまな使用側面で最適な電力効率を提供します。

モバイルメモリイニシアチブを通じてラムバス社が開発したこれらのイノベーション、そしてその他の技術は、向上した性能、高バンド幅、そして優れた電力効率を提供する未来のモバイルメモリアーキテクチャの基盤を提供します。

ラムバス社の極小振幅差動信号は、低電力イニシアチブで実証された差動アーキテクチャの強固な信号クオリティと、画期的な回路技術と連携し電力消費を最小限に抑えます。VLSD は基底基準電圧モードドライバを使用し、たった 200mV のピークトゥピーク差動電圧振幅および一般的な 100mV モードで最大 4.3Gbps までのデータレートを実現します。

また、ラムバス社のモバイルメモリイニシアチブではフレックスクロッキングアーキテクチャも紹介しています。フレックスクロッキングアーキテクチャとは、クロックが中央 PLL からコントローラと DRAM デバイスの両方に転送され分配されるトポロジです。フレックスクロッキングアーキテクチャは、ラムバス社の FlexPhase™ 技術を使用してクロックおよび DQ 信号間に生じる変動を調節し、DRAM デバイスに DLL や PLL を必要とすることなく高速オペレーションを実現します。これによって DRAM のデザインをシンプルにして電力消費を軽減します。

FlexClocking™アーキテクチャにより高性能でシンプルな携帯 DRAM デザインが実現

3番目のモバイルメモリイニシアチブである高度パワーステートマネジメントは、フレックスクロッキングアーキテクチャおよび画期的な回路デザインテクニックに基づいています。高度パワーステートマネジメント (APSM) はメモリシステムのパワーを削減し、すべての操作モードで最適な電力効率を提供します。またさまざまな低電力操作モードとアクティブ操作モード間において超高速遷移時間を提供します。

ラムバス社は、モバイルメモリイニシアチブで開発されたVLSD、フレックスクロッキングアーキテクチャ、APSM およびその他のイノベーションで、最高クラスの電力効率でデータレート 4.3 ギガピット/秒 (Gbps) の実現に向けた基盤技術を提供します。設計者はこの性能レベルで、単一の携帯 DRAM デバイスから 17 GB/秒以上のメモリバンド幅を実現することができます。モバイルメモリイニチアチブおよびその後に続くアーキテクチャソリューションを通じて、ラムバス社の顧客は世界中の消費者の生活を豊かにする新世代型スマートフォンや携帯ゲーム、携帯マルチメディア製品を開発できるようになります。

今日のモバイルメモリにおけるラムバス社のイノベーション

現行モデルのスマートフォンは、電子メールやウェブブラウジング、ゲーム、音楽、映画などさまざまな機能を提供しています。こうした機能を実現するには、優れた性能を提供し、電池式の携帯デバイスの低電力環境に合ったイノベーションが必要になります。LPDDR メモリなどのモバイルメモリソリューションも例外ではありません。コンピュータやグラフィックアプリケーションで既に証明されている技術を含め、ラムバス社の特許取得済みイノベーションの数々は、今日のモバイルアプリケーションに重要な低電力ソリューションを実現します。なおこうしたイノベーションはライセンス供与が可能です。