DRAM XDR™

Le dispositif de DRAM XDR™ de Rambus est un dispositif de mémoire haute performance, capable de débits de 3,2 et 4,0 GHz avec un calendrier de lancements de 4,8, 6,4 et 8,0 GHz à venir. Conçu pour les systèmes sensibles aux coûts et à large bande passante tels que le traitement graphique, l’électronique grand public, les réseaux et les serveurs, le dispositif de DRAM XDR est un composant clé de la solution de mémoire XDR de Rambus. Il utilise un noyau de DRAM à 8 banques mis en œuvre dans une technologie de processus DRAM CMOS standard et est actuellement en production avec des densités binaires de 256 Mo et 512 Mo. Contrairement aux autres dispositifs de DRAM, le dispositif de DRAM XDR x16 met en œuvre une largeur programmable et prend en charge des bus de données d’une largeur de 8, 4, voire 2 bits dans certains cas. Grâce à cela et à de nombreuses autres améliorations architecturales, le dispositif de DRAM XDR offre une efficacité et un rendement biens meilleurs que les autres technologies de mémoire. La solution de mémoire XDR procure au produits gourmands en bande passante les performances dont ils ont besoin pour réussir sur les marchés actuels exigeants.