XDR™

La technologie DRAM XDR™ de Rambus est une solution globale de système de mémoire dont les performances sont supérieures par un ordre de magnitude à celles des mémoires standard d’aujourd’hui, tout en utilisant moins de circuits intégrés. Idéale pour le traitement graphique, l’électronique grand public, les réseaux et les serveurs, une seule DRAM XDR de 3,2 GHz et d’une largeur de 2 octets fournit une bande passante maximale de 6,4 Go/s.

La solution XDR atteint ses performances à l’aide de différents composants. Le dispositif DRAM XDR est un circuit intégré de mémoire haut débit qui turbocharge des noyaux de DRAM CMOS standard avec une interface haut débit capable de débits de 3,2 et 4,0 GHz, avec un calendrier de lancements de 4,8, 6,4 et 8,0 GHz à venir. Du côté des contrôleurs, la cellule XIO (XDR E/S) fournit la même capacité de signalisation haut débit que celle de la DRAM, mais elle ajoute des améliorations supplémentaires telles que la technologieFlexPhase™. Le XMC (XDR memory controller ou contrôleur de mémoire XDR) est un contrôleur de mémoire logique entièrement synthétisable, optimisé pour tirer parti des nombreuses fonctionnalités spéciales de la technologie, telles que le point à point dynamique. Des horloges systèmes sont également fournies en utilisant le générateur XCG (XDR Clock Generator ou générateur d’horloge XDR), qui possède quatre sorties programmables et dont la satisfaction des exigences des horloges pour les dispositifs DRAM XDR et XIO est garantie. De plus, Rambus spécifie complètement l’interconnexion physique, qui est conçue pour fonctionner avec des cartes et des logiciels standard destinés à des applications clientes à volume élevé.