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DDR3Rambus hat kürzlich die Einführung seiner dem Industriestandard entsprechenden Speicher-Controller-Schnittstelle für DDR3-DRAM angekündigt. Die vollständig integrierte Makro-Zelle stellt die Schnittstelle auf dem physikalischen Layer (PHY) zwischen der Controller-Logik und DDR3- oder DDR2-DRAM-Bausteinen für Datenübertragungsraten bis zu 1600 MHz bereit.
Die Controller-Schnittstelle für DDR3-Speicher von Rambus ist für geringen Stromverbrauch und eine kleinere Siliziumfläche optimiert. Sie ist für einen unfangreichen Bereich von Anwendungen, wie z. B. PC-Hauptspeicher, Unterhaltungselektronik, Server und Arbeitsstationen, bestimmt. Zur Bedienung dieser Anwendungen hat Rambus eine Makro-Zelle als Controller-Schnittstelle für DDR3-Speicher entworfen und entwickelt, die nahtlos in die COT- (Customer Owned Tooling) und ASIC-Chips (Application-Specific Integrated Circuit) integriert werden kann. Die DDR3-Schnittstellenlösung von Rambus umfasst u.a. folgende Rambus-Innovationen:
Weitere wichtige Funktionen der Schnittstelle:
Die DDR-Zellen von Rambus werden durch umfassende Systemdesign- und Integrationshilfsmittel unterstützt. Dazu gehören ein vollständiger Satz an Designmodellen und Integrationswerkzeuge, wie z. B. GDSII-Datenbank, Timing-Modelle, Schaltpläne zur Layout-Verifikation, Gate-Level-Modelle, Place-and-Route-Entwurf und Positionierungsrichtlinien. Hilfsmittel für Baugruppen-Design und Board-Layout sind ebenfalls verfügbar. Sie können die Produktbroschüre herunterladen, die weitere Informationen über die Rambus DDR3-Speicher-Controller-Schnittstelle enthält. |
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