移动内存创新 (MMI) 技术

实现新一代富媒体移动产品

消费者期望能在起居室里使用其每天携带的移动设备来获得高清体验。另外，他们想要的功能包括高清分辨率视频录像机、数百万像素的数码相机、3D 游戏和富媒体 Web 应用。这些先进的移动设备能够直接将高清内容进行编码并传输到高清电视 (HDTV)、家用电脑和服务器。要将所有功能囊括到小巧、轻便和美观外形中，这对于移动设备的设计者来说，绝对是莫大的挑战。在诸多挑战中的首要挑战是高性能内存架构的开发，因为要符合对使用电池供电的产品的能效限制。

Rambus 移动内存创新 (MMI) 技术首开高带宽、低功耗内存信令技术之先河，能够满足未来智能手机、小型笔记本电脑以及移动游戏和多媒体产品的需要。通过 MMI 开发的技术将使未来的移动内存架构在以同类最佳产品的能效运行时可以达到 4.3Gbps 的数据传输率。有了该性能，设计者可在单台移动 DRAM 设备中实现超过 17GB/s 的内存带宽。

突破性革新技术实现的性能和能效

为了实现高带宽、低功耗的内存接口解决方案，Rambus 已经开发的突破性革新技术包括：

• 极低摆幅差分信令 (VLSD) － 结合差分架构稳固的信令质量和创新电路技术，大幅降低主动功耗；


• FlexClocking™ 架构 － 一种时脉前送和时脉分布拓扑，能实现高速运行并简化 DRAM 接口；以及


• 高级电源状态管理 (APSM) － 与 FlexClocking 架构结合，可在省电模式之间进行快速切换，并且在多种使用情况下优化能效。

这些创新技术以及由 Rambus 通过 MMI 技术开发的其他创新技术将为未来的移动内存架构奠定坚实的基础，并能提供增强的性能，供高带宽和卓越的能效。

Rambus 的极低摆幅差分信令结合差分架构稳固的信令质量（已经我们的低电源创新技术验证）和革新电路技术将主动功耗降到最低。使用地面参照电压模式驱动，VLSD 可在 200 毫伏的峰值差分电压摆幅和 100 毫伏的普通模式下实现高达 4.3Gbps 的数据传输率。

Rambus MMI 技术还展示了 FlexClocking 架构。在 FlexClocking 架构的拓扑中，时脉从中央 PLL 被前送并分布到控制器和 DRAM 设备。FlexClocking 架构使用 Rambus FlexPhase™ 技术来调整时脉与 DQ 信号之间的变异，从而实现高速运行，且无需 DRAM 设备上的 DLL 或 PLL。这样一来便简化了 DRAM 设计并降低了功耗。

FlexClocking™ 架构实现高性能和简化的移动 DRAM 设计

MMI 技术的第三个独具特色的创新技术，高级电源状态管理 (Advanced Power State Management,APSM)，依托 FlexClocking 架构并采用革新的电路设计技术进行构建。高级电源状态管理 (APSM) 技术能够降低内存系统功耗、优化各运行模式的能效并为各种低功耗主动运行模式提供超快的转换时间。

通过 MMI 技术开发的 VLSD、FlexClocking 架构、APSM 以及其他的革新技术，Rambus 为实现具有一流能效的 4.3Gbps 的数据传输率提供了基础技术。在这一性能水平上，设计者可以在单台移动 DRAM 设备上实现超过 17GB/s 的内存带宽。通过 MMI 技术及其相应的架构解决方案，Rambus 能使其客户为新一代智能手机、移动游戏和移动多媒体产品开发内存解决方案，以丰富全球消费者的生活。

Rambus 革新技术与当今的移动内存

目前一代的智能手机具有多种功能，包括电子邮件、Web 浏览、游戏和影音功能。要实现这些功能需要能提供卓越性能的创新技术，并且要适用于使用电池供电移动设备的低功耗环境。移动内存解决方案，如 LPDDR 内存，也不能例外。众多 Rambus 专利革新技术，包括很多已经过计算机和图形应用验证的革新技术，使低功耗解决方案成为今日移动应用的重要解决方案并且可用于授权。